主題演講×1，工業(yè)報(bào)告×4，PSMA客座演講×1，會(huì)議論文×1，3.5小時(shí)專場(chǎng)衛(wèi)星會(huì)議兼GaNSafe?發(fā)布會(huì)，納微Electrify Our World?之路再迎突破

加利福尼亞托倫斯2023年10月20日訊 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布將在2023年11月10-13日參加于廣州·越秀國際會(huì)議中心舉辦的2023中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國電源學(xué)會(huì)第二十六屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)（以下簡稱CPSSC 2023），介紹其下一代氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體平臺(tái)上的重要突破，并發(fā)布全新針對(duì)大功率市場(chǎng)的氮化鎵功率新平臺(tái)——GaNSafe?。

CPSSC 2023不僅是中國電源學(xué)會(huì)成立40周年的重要紀(jì)念活動(dòng)，同時(shí)也旨在促進(jìn)電力電子、能量轉(zhuǎn)換與電源技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域海內(nèi)外學(xué)者和相關(guān)人員的學(xué)術(shù)交流，促進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研的合作，與相關(guān)產(chǎn)業(yè)及產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)創(chuàng)新和進(jìn)步。

憑借領(lǐng)先的技術(shù)和市場(chǎng)地位，納微半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片領(lǐng)域的翹楚，目前已成功發(fā)貨超1億顆GaNFast?氮化鎵功率芯片，以及超1200萬顆GeneSiC?碳化硅功率器件，二者共同構(gòu)建了220億美元的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

基于升級(jí)后的第四代氮化鎵技術(shù)，納微半導(dǎo)體推出了全新的GaNSafe?功率平臺(tái)，以滿足數(shù)據(jù)中心、太陽能/儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車市場(chǎng)等要求苛刻的高功率應(yīng)用場(chǎng)景需求，在這些目標(biāo)應(yīng)用中，效率、功率密度以及強(qiáng)大可靠的運(yùn)行能力至關(guān)重要。

采用了一種新型的適用于氮化鎵且散熱優(yōu)良的表貼TOLL封裝，GaNSafe?集成的特征和功能包括：

● 受保護(hù)的、集成閘極驅(qū)動(dòng)控制，零閘極-源回路電感，可靠的高速2 MHz開關(guān)能力，以最大化提升應(yīng)用的功率密度。

● 快速的短路保護(hù)，自主的“檢測(cè)和保護(hù)”可在50 ns內(nèi)完成，比競(jìng)爭對(duì)手的分立式氮化鎵解決方案快4倍。

● 靜電放電（ESD）保護(hù)達(dá)到2 kV，而分立式的氮化鎵晶體管為零。

● 650 V連續(xù)和800 V瞬時(shí)耐電壓能力，有助于提升芯片在特殊應(yīng)用條件下的魯棒特性。

● 易于使用、高功率、高可靠性、高性能功率芯片，只有4個(gè)引腳，加速客戶設(shè)計(jì)。

● 可調(diào)節(jié)的開啟和關(guān)閉速度（dV/dt），簡化EMI的規(guī)范要求。

在本屆中國電源學(xué)會(huì)年會(huì)上，納微半導(dǎo)體將帶來1場(chǎng)主題演講，1篇會(huì)議論文及報(bào)告，4場(chǎng)工業(yè)報(bào)告，一場(chǎng)客座PSMA（美國電源制造商協(xié)會(huì)）演講，及3.5小時(shí)專場(chǎng)衛(wèi)星會(huì)議兼GaNSafe?發(fā)布會(huì)，為大家全面、深入介紹下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用和市場(chǎng)。此外，納微誠摯歡迎各位觀眾蒞臨納微展臺(tái)，親身體驗(yàn)納微突破性的技術(shù)展示和完整的功率系統(tǒng)平臺(tái)設(shè)計(jì)。

● 主題演講

主題：“High Power, High Voltage, High Speed: GaN and SiC Electrify Our World?”

演講者：查瑩杰，副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理

時(shí)間：11月11日

● 會(huì)議論文及報(bào)告

主題：“SiC-based Bidirectional Three-phase CLLLC Resonant Converter with Integrated Magnetics for High-Power On-Board Charger Applications”

作者：陳云琦，賈民立,  孫浩，陳進(jìn)龍，張海松，周振

時(shí)間：11月12日，16:20

● 工業(yè)報(bào)告

1.主題：“基于SiC器件的高頻化(>500khz)應(yīng)用及挑戰(zhàn)”

   演講者：賈民立，高級(jí)主任應(yīng)用工程師

   時(shí)間：11月12日，13:30 – 14:00

2.主題：“賦能零碳：釋放納微半導(dǎo)體碳化硅在太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)中的潛力”

   演講者：祝錦，高級(jí)技術(shù)營銷經(jīng)理

           李賓，應(yīng)用總監(jiān)

   時(shí)間：11月12日，16:50 – 17:20

3.主題：“Next-Generation GaN power ICs Drive Transformer Revolution”

   演講者：黃秀成，高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)

時(shí)間：11月13日，08:30 – 09:00

4.主題：“第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)超高功率密度CRPS185 3200W鈦金牌服務(wù)器電源設(shè)計(jì)”

   演講者：魏濤，高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理

   時(shí)間：11月13日，14:00 – 14:30

● PSMA客座演講

主題：“Electrify Our World: How the Si to GaN/SiC Transition Accelerates Our Journey From Fossil Fuels”

演講者：黃秀成，高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)，納微半導(dǎo)體深圳研發(fā)中心負(fù)責(zé)人，代表美國電源制造商協(xié)會(huì)發(fā)言

時(shí)間：11月12日

● 3.5小時(shí)衛(wèi)星會(huì)議技術(shù)專場(chǎng)兼GaNSafe品牌發(fā)布會(huì)

11月13日，納微半導(dǎo)體還將舉辦一場(chǎng)深度的3.5小時(shí)衛(wèi)星會(huì)議，介紹最新的氮化鎵和碳化硅平臺(tái)，并同期舉行高性能寬禁帶平臺(tái)的GaNSafe?品牌發(fā)布會(huì)。

CPSSC 2023將于11月10-13日在廣州越秀國際會(huì)議中心召開，我們誠邀各位蒞臨納微展臺(tái)（展位號(hào)：B005），親身體驗(yàn)下一代GaNFast?氮化和GeneSiC?技術(shù)，經(jīng)驗(yàn)豐富的納微銷售和應(yīng)用團(tuán)隊(duì)及經(jīng)銷商將為您提供各項(xiàng)技術(shù)支持。

從移動(dòng)快充、消費(fèi)電子到家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用均有展出，同時(shí)展品還將聚焦大功率系統(tǒng)應(yīng)用，包括能實(shí)現(xiàn)100W/in3的超高功率密度3200W CRPS 185鈦金Plus效率數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，以及一款新型的大功率雙向車載充電機(jī)（OBC）。

納微半導(dǎo)體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示：“我們非常高興能夠再次參加電源行業(yè)的年度盛會(huì)——CPSSC，這也是納微贊助CPSSC的第7年。在氮化鎵和碳化硅的雙引擎策略運(yùn)行一年后，納微在實(shí)現(xiàn)Electrify Our World?的使命之路上取得了重要巨大的突破，我們期待在11月的年會(huì)上，與廣大學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界同行，分享納微令人振奮的成果。”

與納微銷售安排現(xiàn)場(chǎng)會(huì)議，請(qǐng)發(fā)送郵件至：

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast?氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC?碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過185項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專利，其中，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過1億顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1200萬顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral?認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

納微半導(dǎo)體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及納微標(biāo)識(shí)是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標(biāo)志都是或可能是各自所有者用于標(biāo)識(shí)產(chǎn)品或服務(wù)的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

聯(lián)系方式：

Stephen Oliver（史立維），企業(yè)營銷和投資者關(guān)系副總裁